Teknoloji

Çip Üretiminde Dev Adım: İlk 300 mm SiC Wafer Geliştirildi

Infineon, 300 mm silisyum karbür wafer ile çalışan çipler üreterek yarı iletken verimliliğini 2,3 kat artırmayı başardı.

Çip Üretiminde Dev Adım: İlk 300 mm SiC Wafer Geliştirildi - Dosya Haber

DIŞ HABERLER — Yarı iletken pazarında devrim yaratacak yeni bir teknolojik eşik aşıldı. Yonga üreticisi Infineon, 300 milimetrelik silisyum karbür (SiC) yonga plakası (wafer) kullanarak çalışan çipler üreten ilk şirket olduğunu duyurdu.

Geliştirilen bu yeni üretim süreci, mevcut 200 milimetrelik plakalara kıyasla plaka başına düşen kullanılabilir çip miktarını yaklaşık 2,3 kat artırıyor. Özellikle elektrikli araçlar, enerji altyapıları ve endüstriyel güç sistemlerinde kritik rol oynayan silisyum karbür çiplerin üretim maliyetlerinde bu adımla birlikte ciddi bir düşüş bekleniyor.

Üretim Maliyetleri ve Verimlilik Artacak

Silisyum karbür bileşenler, geleneksel silisyum temelli yarı iletkenlere kıyasla daha yüksek voltaj, sıcaklık ve frekans altında çalışabilme avantajına sahip bulunuyor. Ancak malzemenin sert yapısı ve kırılganlığı nedeniyle büyük boyutlu plaka üretimi bugüne kadar ticari ölçekte ciddi bir mühendislik engeli oluşturuyordu.

Infineon'un 300 milimetrelik SiC plakalarda seri üretim şartlarını sağlaması, elektrikli otomobillerdeki güç dönüştürücülerinin ve şarj istasyonlarının daha kompakt, daha dayanıklı ve daha ekonomik hale gelmesinin önünü açacak.

İlgili Haberler